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ICS570 ゼロ遅延バッファ(ZDB)



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内容

IDT ゼロ遅延バッファ

ICS570は、IDT特許 アナログ/デジタルPLL技術を集積化した高性能ゼロ遅延バッファ(ZDB)です。Aバージョンは、5V設計用を推奨しており、Bバージョンは、3.3V設計用を推奨しています。チップはIDTのClockBlocksTM ファミリの一部で、現在のより高速で低電圧要求を満たす、性能アップグレード用として設計されました。ゼロ遅延性能とは、入力クロックの立上がりエッジが両出力クロックの立上がりエッジと調整し、デバイスを介して遅延無しのように見えることです。チップには出力が2つあり、低スキューの1つは、もう一方の出力を2で割ったものです。デバイスは、内部PLLをストップし、両出力を高インピーダンス状態にする、全チップパワーダウン/トライステート モードを内臓しています。

ICS570はパソコンから、グラフィック/ビデオへのデータ通信まで、多様なシステムにおける出力同期用に最適です。オフチップ・フィードバック・パスを可能にすることで、デバイスは、他のデバイスを通る遅延を除去することができます。


特徴 & 応用

  • 8ピンSOICパッケージ
  • 鉛フリーパッケージで入手可能
  • ピン互換、ICS570Mへアップグレード
  • AV9170と同等機能 (ピン互換ではありません)
  • 低い入力-出力スキュー:最大300ps(>60MHz 出力)
  • L低スキュー(100ps)出力。1つは、もう一方を2で割ったもの。
  • 0.5Xから32Xまでの異なる14個の乗算器間で選定する能力
  • 出力クロック周波数:最大170MHz(3.3V時)
  • 低下した入力クロックのデューティサイクルを回復可能
  • 出力クロックのデューティサイクル:45/55
  • パワーダウン及びトライステート モード
  • スペクトラム拡散クロック変調をパス
  • TTLレベルで25mAのドライブ能力を備えた全CMOSクロック振幅
  • アドバンスド、低電力CMOSプロセス
  • ICS570Bは、3.3Vの動作電圧
  • ICS570Aは、5.0Vの動作電圧
  • 産業用温度バージョンを入手可能

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Digi-Key P/N Vendor P/N Description Operating Temp Datasheet
800-1072-5-ND ICS570BILF IC MULTIPLIER/ZDB 8-SOIC -40°C ~ 85°C データシート
800-1073-5-ND ICS570BLF IC MULTIPLIER/ZDB 8-SOIC 0°C ~ 70°C




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