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スーパーバリア整流器 |
Diodes, Inc. 及び Digi-Keyは、MOSFET構造のSBR技術を導入
Diodes, Inc.のSBR® 技術は、低順電圧損失、高温逆リーク電流の低減、及びゲート電圧の必要な制御なしに高速スイッチングを達成すためにMOSFETに似た構造を利用しています。SBRダイオードは、チャンネルダイオードのゲートとソースの間にショートコンタクトを形成することにより、ゲート電圧回路の複雑さを除去します。ゲートの下の弱い逆チャンネルの存在を維持するために、酸化膜の厚さは、最適レベルに低減されています。CMOSイオン注入プロセスを利用することにより、SBRは、ショットキーダイオードのような異なるメタルタイプの選択無しに、適切なVF/IRのトレードオフを容易に調整することができます。これにより、新しいマーケット要求に適合するチップのさらなる柔軟性とスケーラビリティが可能です。
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| 利点 |
より高効率及びより高温の動作
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| 応用 | |||
コンピュータ及びペリフェラル
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通信
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民生用電子機器
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産業用
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プロダクトトレーニングモジュール （PTM）: スーパーバリア整流器 （SBR®） |
