IXTP32P05T 及び IXTP28P065T
新しいPチャンネルデバイス・ファミリは、業界で認められているIXYSパワーデバイス製品ラインにおいて、IXYSの高度トレンチ・セル技術の利点をフルに生かして製造されています。このファミリは、超低オン抵抗（Rdson）及びゲート電荷（Qg）を特長としており、伝導及びスイッチング損失を最小化し、動作と熱効率の改善を促進します。
これらのデバイスは、グランド基準の簡単なドライブ回路を使用できる、"ハイサイド"スイッチング・アプリケーションに最適で、NチャンネルMOSFETを使用する際、通常伴う追加の"ハイサイド"ハイサイド”ドライバ回路をバイパスできます。これにより、設計者は、部品数の削減が可能になり、ドライブ回路の簡易性と全体の費用構造を改善できます。さらに、これにより、簡単なドライブ回路を備えたパワー・ハーフブリッジ段用に、対応する IXYS NチャンネルMOSFETを備えた、コンプリメンタリ・パワー出力段の設計が可能になります。
IXTP32P05T (-50V, -32A, Qg = 46nC, Rdson = 36mOhms) 及びIIXTP28P065T (-65V, -28A, Qg = 46nC, Rdson = 45mOhms)は、TrenchP™ PチャンネルパワーMOSFETファミリの優れた電気的、熱的効率を明らかにする実例です。さらなる特徴は、拡張された順バイアス安全動作領域（FBSOA）、高速スイッチング性能及び優れたアバランシェ能力です。これらの製品は、-50V～-150Vの電圧定格及び-18A～-140Aの電流定格を必要とするアプリケーションをサポートします。パッケージオプションには、低コストのスルーホールTO-220及び面実装TO-263パッケージがあります。これらのデバイスから大きな利点を得る一般的なアプリケーションには、ハイサイド又は負荷スイッチング、DC/DCコンバータ、高電流レギュレータ、DCチョッパ、CMOS高電力アンプ、プシュプルアンプ、パワー・ソリッドステート・リレーなどがあります。
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